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三星计划扩大1cnm DRAM生产:目标2026年月产能达20万片晶圆

作者:花韻仙語 | 点击: | 来源:花韻仙語
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11月19日消息,据媒体报道,三星正在加快提升1cnmDRAM的生产能力,力争在HBM4市场中抢占领先地位。根据规划,公司计划于2026年第二季度将月产能提升至14万片晶圆,并在同年第四季度进一步扩大至每月20万片晶圆。这些关键节点标志着设备配置阶段的推进,目标是在各阶段完成后迅速实现大规模量产。目前,三星的DRAM整体产能约为每月65万至70万片晶圆。这意味着新建的1cnmDRAM产线将在短期内占据总产能近三成的比例,其扩张速度甚至超过了2022年半导体繁荣期每月新增13万片晶圆的峰值增长水平...

11月19日消息,据媒体报道,三星正在加快提升1cnm dram的生产能力,力争在hbm4市场中抢占领先地位。根据规划,公司计划于2026年第二季度将月产能提升至14万片晶圆,并在同年第四季度进一步扩大至每月20万片晶圆。这些关键节点标志着设备配置阶段的推进,目标是在各阶段完成后迅速实现大规模量产。

目前,三星的DRAM整体产能约为每月65万至70万片晶圆。这意味着新建的1cnm DRAM产线将在短期内占据总产能近三成的比例,其扩张速度甚至超过了2025年半导体繁荣期每月新增13万片晶圆的峰值增长水平。

为达成这一产能目标,三星正采取双管齐下的策略:一方面对现有DRAM产线进行技术升级和改造以实现平稳过渡,另一方面则通过位于平泽的P4工厂加大资本投入,建设全新生产线。

此次大规模扩产,体现了三星对1cnm DRAM技术前景以及未来市场需求的强烈信心。在人工智能迅猛发展的推动下,近期DRAM市场已呈现出供应紧张的局面。

面对相同的市场机遇,竞争对手SK海力士也宣布将于2025年内启动1cnm DRAM的量产工作,并计划在2026年实现全面投产。预计到2026年底,其在韩国本土生产的通用DRAM中,超过50%将采用1cnm工艺,并构建

涵盖LPDDR与GDDR在内的完整新一代产品体系。

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